晶體管 BSC093N04LS MOSFET
發布時間：2018/7/3
BSC093N04LS介紹：
描述 MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 40V 13A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 13A（Ta），49A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 9.3 毫歐 @ 40A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 14μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），35W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TDSON-8
封裝/外殼 8-PowerTDFN
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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金氧半場效晶體管在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而IGFET的柵極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效晶體管使用的氧化層。
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