晶體管 SI4630DY-T1-E3 MOSFET - 單
發布時間：2018/7/2
SI4630DY-T1-E3介紹：
描述 MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 25V 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
表面貼裝 N 溝道 25V 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 40A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.7 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 161nC @ 10V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 6670pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.5W（Ta），7.8W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在積體電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極（common bulk），所以不標示出基極的極性，而在PMOS的柵極端多加一個圓圈以示區別。
