晶體管 SCT30N120 FET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/27
SCT30N120介紹：
描述 MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 1200V 40A（Tc） 270W（Tc） HiP247?
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss） 1200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 40A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 100 毫歐 @ 20A，20V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.6V @ 1mA（標(biāo)準(zhǔn)）
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 105nC @ 20V
Vgs（最大值） +25V，-10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 400V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 270W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 200°C（TJ）
安裝類(lèi)型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 HiP247?
封裝/外殼 TO-247-3
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