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晶體管 STL7DN6LF3 FET

發布時間:2018/6/27

STL7DN6LF3介紹:
描述 MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 38 周
詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 52W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 STMicroelectronics
系列 汽車級,AEC-Q101,STripFET? III
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 N 溝道(雙)
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 20A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 43 毫歐 @ 3A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 8.8nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 432pF @ 25V
功率 - 最大值 52W
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-PowerVDFN
供應商器件封裝 PowerFlat?(5x6)
基本零件編號 ST*7DN
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
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根據三極管的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內阻極高,采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。
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