晶體管 IPB123N10N3 G MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/6/27
IPB123N10N3 G介紹：
描述 MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 100V 58A（Tc） 94W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 58A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 12.3 毫歐 @ 46A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 46μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 35nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 94W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK（TO-263AB）
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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當一個夠大的電位差施于金氧半場效晶體管的柵極與源極之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時就會形成所謂的“反轉(zhuǎn)溝道”（inversion channel）。
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