晶體管 PMV100ENEAR 半導體產品
發布時間：2018/6/26
PMV100ENEAR介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V TO-236AB
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 8 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 3A（Ta） 460mW（Ta）, 4.5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 汽車級，AEC-Q101
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 72 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 5.5nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 160pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 460mW（Ta）, 4.5W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-236AB（SOT23）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關晶體管、達林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型。
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