晶體管 FDS6982AS FET
發布時間：2018/6/25
FDS6982AS介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SO
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?，SyncFET??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 6.3A，8.6A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 28 毫歐 @ 6.3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 610pF @ 10V
功率 - 最大值 900mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝 8-SO
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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判定柵極G:將萬用表撥至R×1k檔，用萬用表的負極任意接一電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個極，測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等，則負表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換，若兩次測出的電阻都很大，則為N溝道;若兩次測得的阻值都很小，則為P溝道。
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