晶體管 IPP030N10N3 MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/6/25
IPP030N10N3介紹：
描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 100A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 275μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 206nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 14800pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3
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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)。在模擬電路中，晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩(wěn)壓電路；在計算機(jī)電源中，主要用于開關(guān)電源。
