晶體管 TK65S04K3L(T6L1,NQ MOSFET
發布時間：2018/6/21
TK65S04K3L(T6L1,NQ介紹：
描述 MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 16 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 40V 65A（Ta） 88W（Tc） DPAK+
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 U-MOSIV
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 65A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4.5 毫歐 @ 32.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 63nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 88W（Tc）
工作溫度 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 DPAK+
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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以金氧半場效晶體管（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個字母M，在當下大部分同類的組件里是不存在的。
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