晶體管 IPA057N06N3GXKSA1 MOSFET - 單
發布時間：2018/6/21
IPA057N06N3GXKSA1介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 通孔 N 溝道 60V 60A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 60A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 5.7 毫歐 @ 60A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 58μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 82nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 6600pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 38W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO220-3-31 整包
封裝/外殼 TO-220-3 整包
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel）、安捷倫;
安富利（深圳）商貿有限公司，全球最專業的配單專家。一手貨源!價格優勢！
所出的物料，絕對原裝正品！放心購買！
本公司為一般納稅人，可開16%增值稅票！歡迎垂詢！
地址：深圳市前海深港合作區前灣一路1號A棟201
電話：0755-83259719
晶體管實際上是所有現代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程進行大規模生產的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。
