晶體管 SI2367DS-T1-GE3 MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/15
SI2367DS-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 20V 3.8A（Tc） 960mW（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 3.8A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 66 毫歐 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 8V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 561pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 960mW（Ta），1.7W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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理論上和實(shí)際證明，不同種類的晶體管可以在低于1伏到上千伏電壓下工作，而電子管的第二電源（乙電）最低也要數(shù)伏，最高也就1000多伏，所以晶體管能被用在更廣泛的電路中，使其他優(yōu)勢(shì)得以發(fā)揮。
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