半導體產品 IXTU01N100 FET
發布時間：2018/6/15
IXTU01N100介紹：
描述 MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 14 周
詳細描述 通孔 N 溝道 1000V 100mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-251
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 -
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 1000V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 100mA（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 80 歐姆 @ 50mA，0V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 25μA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 120pF @ 25V
FET 功能 耗盡模式
功率耗散（最大值） 1.1W（Ta），25W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-251
封裝/外殼 TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。
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