晶體管 BSS214NH6327XTSA1 MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/15
BSS214NH6327XTSA1介紹：
描述 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 1.5A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 140 毫歐 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 3.7μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 0.8nC @ 5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 143pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-SOT23-3
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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從目前的角度來(lái)看MOSFET的命名，事實(shí)上會(huì)讓人得到錯(cuò)誤的印象。因?yàn)镸OSFET里代表“metal”的第一個(gè)字母M在當(dāng)下大部分同類(lèi)的元件里是不存在的。早期的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)代的MOSFET柵極早已用多晶硅取代了金屬。
