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晶體管 DMN1150UFB-7B MOSFET - 單

發布時間:2018/6/15

DMN1150UFB-7B介紹:

描述 MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)

制造商標準提前期 20 周

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 12V 1.41A(Ta) 500mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包裝 ? 帶卷(TR) ?

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 12V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 1.41A(Ta)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 150 毫歐 @ 1A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 4.5V

Vgs(最大值) ±6V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 106pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 500mW(Ta)

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 3-DFN1006(1.0x0.6)

封裝/外殼 3-UFDFN

安富利(深圳)商貿有限公司介紹:


公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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靜電感應晶體管SIT(Static Induction Transistor)誕生于1970年,實際上是一種結型場效應晶體管。晶體管是一種半導體器件,放大器或電控開關常用。晶體管是規范操作電腦,手機,和所有其他現代電子電路的基本構建塊。

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