晶體管 DMN1150UFB-7B MOSFET - 單
發布時間:2018/6/15
DMN1150UFB-7B介紹:
描述 MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 20 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 12V 1.41A(Ta) 500mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 12V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 1.41A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 150 毫歐 @ 1A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±6V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 106pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 3-DFN1006(1.0x0.6)
封裝/外殼 3-UFDFN
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:
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靜電感應晶體管SIT(Static Induction Transistor)誕生于1970年,實際上是一種結型場效應晶體管。晶體管是一種半導體器件,放大器或電控開關常用。晶體管是規范操作電腦,手機,和所有其他現代電子電路的基本構建塊。