晶體管 BLS7G2325L-105,112 射頻
發(fā)布時(shí)間：2018/6/13
BLS7G2325L-105,112介紹：
描述 RF MOSFET LDMOS 10V SOT502A
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 13 周
詳細(xì)描述 射頻 Mosfet LDMOS 10V 2.3GHz ~ 2.5GHz 18dB 110W SOT502A
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
制造商 Ampleon USA Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 LDMOS
頻率 2.3GHz ~ 2.5GHz
增益 18dB
電壓 - 測(cè)試 10V
額定電流 5μA
噪聲系數(shù) -
功率 - 輸出 110W
電壓 - 額定 65V
封裝/外殼 SOT-502A
供應(yīng)商器件封裝 SOT502A
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在電子學(xué)理論中，電流流過導(dǎo)體，導(dǎo)體周圍會(huì)形成磁場；交變電流通過導(dǎo)體，導(dǎo)體周圍會(huì)形成交變的電磁場，稱為電磁波。在電磁波頻率低于100khz時(shí)，電磁波會(huì)被地表吸收，不能形成有效的傳輸。
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