晶體管 IRFL4105TRPBF 半導體產品
發布時間：2018/6/13
IRFL4105TRPBF介紹：
描述 MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 55V 3.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 55V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3.7A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 45 毫歐 @ 3.7A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 35nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 660pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-223
封裝/外殼 TO-261-4，TO-261AA
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管按其結構及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。在控制電器和機械方面，晶體管電路也正在取代電機設備，因為它通常是更便宜、更有效地，僅僅使用標準集成電路并編寫計算機程序來完成同樣的機械任務，使用電子控制，而不是設計一個等效的機械控制。
