晶體管 FDMC8854 FET，MOSFET
發布時間：2018/6/13
FDMC8854介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 6 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 15A（Tc） 2W（Ta），41W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 15A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 5.7 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 57nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3405pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2W（Ta），41W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-MLP（3.3x3.3）
封裝/外殼 8-PowerWDFN
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。根據三極管的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。
