晶體管 FCP190N60 MOSFET
發布時間：2018/6/11
FCP190N60介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V TO220-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 52 周
詳細描述 通孔 N 溝道 600V 20.2A（Tc） 208W（Tc） TO-220
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 SuperFET? II
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 20.2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 74nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2950pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 208W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 199 毫歐 @ 10A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220
封裝/外殼 TO-220-3
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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在模擬電路中，晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩壓電路；在計算機電源中，主要用于開關電源。
晶體管也應用于數字電路，主要功能是當成電子開關。數字電路包括邏輯門、隨機存取內存（RAM）和微處理器。
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