晶體管 NVB6410ANT4G MOSFET - 單
發布時間：2018/6/8
NVB6410ANT4G介紹：
描述 MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 100V 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
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零件狀態 最後搶購
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 76A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 120nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 188W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 13 毫歐 @ 76A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA
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晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。此時集電極電流變化與基極同相，在三極管沒有加直流偏置時三極管be結和ce結導通，三極管放大電路將只有半個波輸出將產生嚴重的失真。
