晶體管 RFD12N06RLE MOSFET
發布時間：2018/6/7
RFD12N06RLE介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 4 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 60V 18A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 UltraFET??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 18A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 10V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 485pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 49W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 63 毫歐 @ 18A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-252AA
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
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