晶體管 SI7148DP-T1-E3 MOSFET - 單
發布時間：2018/6/7
SI7148DP-T1-E3介紹：
描述 MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 75V 28A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 75V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 28A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 100nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 35V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 5.4W（Ta），96W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 11 毫歐 @ 15A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PowerPAK? SO-8
封裝/外殼 PowerPAK? SO-8
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雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）積體電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數用來做增益、混頻器或是頻率轉換的控制。
