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晶體管 STP80N10F7 MOSFET

發布時間:2018/6/6

STP80N10F7介紹:
描述 MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標準提前期 38 周
詳細描述 通孔 N 溝道 100V 80A(Tc) 110W(Tc) TO-220
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 DeepGATE?,STripFET? VII
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 80A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 110W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 10 毫歐 @ 40A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220
封裝/外殼 TO-220-3
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
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溝道的極性與其漏極(drain)與源極相同,假設漏極和源極是n型,那么溝道也會是n型。溝道形成后,金氧半場效晶體管即可讓電流通過,而依據施于柵極的電壓值不同,可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會受其控制而改變。
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