晶體管 2SK2009TE85LF 半導體產品
發布時間：2018/6/5
2SK2009TE85LF介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 200mA（Ta） 200mW（Ta） SC-59-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 200mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 100μA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 70pF @ 3V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2歐姆 @ 50MA，2.5V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SC-59-3
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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