晶體管 IPD079N06L3 G MOSFET - 單
發布時間：2018/6/5
IPD079N06L3 G介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 60V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 34μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 29nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4900pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 79W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 7.9 毫歐 @ 50A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TO252-3
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產生自由電子。
