晶體管 SI7922DN-T1-E3 MOSFET
發布時間：2018/6/4
SI7922DN-T1-E3介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 1.8A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 195 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 8nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） -
功率 - 最大值 1.3W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 PowerPAK? 1212-8 雙
供應商器件封裝 PowerPAK? 1212-8 Dual
基本零件編號 SI7922
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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以金氧半場效晶體管（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個字母M，在當下大部分同類的組件里是不存在的。
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