晶體管 SH8K2TB1 陣列
發布時間：2018/6/4
SH8K2TB1介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 2W Surface Mount 8-SOP (5.0x6.0)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 不適用於新設計
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 6A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 30 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10.1nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 520pF @ 10V
功率 - 最大值 2W
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SMD，鷗翼
供應商器件封裝 8-SOP（5.0x6.0）
基本零件編號 *K2
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理論上和實際證明，不同種類的晶體管可以在低于1伏到上千伏電壓下工作，而電子管的第二電源（乙電）最低也要數伏，最高也就1000多伏，所以晶體管能被用在更廣泛的電路中，使其他優勢得以發揮。
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