晶體管 TK12V60W,LVQ 半導體產品
發布時間：2018/6/1
TK12V60W,LVQ介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 DTMOSIV
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 11.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 600μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 25nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 890pF @ 300V
FET 功能 超級結
功率耗散（最大值） 104W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 300 毫歐 @ 5.8A，10V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 4-DFN-EP（8x8）
封裝/外殼 4-VSFN 裸露焊盤
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel）、安捷倫;
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電話：0755-83259719
在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
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