晶體管 BSS670S2L FET
發(fā)布時間：2018/6/1
BSS670S2L介紹：
描述 MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 55V 540mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 540mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 2.7μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 2.26nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 75pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 360mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 650 毫歐 @ 270mA，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-SOT23-3
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。
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