晶體管 SI7938DP-T1-GE3 陣列
發布時間：2018/5/31
SI7938DP-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 標準
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 60A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 5.8 毫歐 @ 18.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 65nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2300pF @ 20V
功率 - 最大值 46W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 PowerPAK? SO-8 雙
供應商器件封裝 PowerPAK? SO-8 Dual
基本零件編號 SI7938
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態下使用，晶體管內部的結構會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規格表或是Data Sheet得知。
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