半導體產品 SIHG70N60EF-GE3 MOSFET
發布時間：2018/5/31
SIHG70N60EF-GE3介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AC
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 通孔 N 溝道 600V 70A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 70A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 380nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 7500pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 520W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 38 毫歐 @ 35A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-247AC
封裝/外殼 TO-247-3
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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為了改善前述單一MOSFET開關造成訊號失真的缺點，于是使用一個PMOS加上一個NMOS的CMOS開關成為目前最普遍的做法。CMOS開關將PMOS與NMOS的源極與漏極分別連接在一起，而基極的接法則和NMOS與PMOS的傳統接法相同。
