晶體管 AOU3N50 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/5/30
AOU3N50介紹：
描述 MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 20 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 500V 2.8A（Tc） 57W（Tc） TO-251-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 2.8A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 8nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 331pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 57W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 3 歐姆 @ 1.5A，10V
工作溫度 -50°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-251-3
封裝/外殼 TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
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雖然數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的單體晶體管還在使用，但是絕大多數(shù)的晶體管是和電阻、電容一起被裝配在微芯片（芯片）上以制造完整的電路。模擬的或數(shù)字的或者這兩者被集成在同一塊芯片上。設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)一個(gè)復(fù)雜芯片的成本是相當(dāng)高的，但是當(dāng)分?jǐn)偟酵ǔ０偃f(wàn)個(gè)生產(chǎn)單位上，每個(gè)芯片的價(jià)格就是最小的。
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