晶體管 MII200-12A4 模塊
發布時間：2018/5/28
MII200-12A4介紹：
描述 MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 32 周
詳細描述 IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 270A 1130W Chassis Mount Y3-DCB
類別 分立半導體產品
晶體管 - IGBT - 模塊
制造商 IXYS
系列 -
零件狀態 在售
IGBT 類型 NPT
配置 半橋
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 270A
功率 - 最大值 1130W
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 2.7V @ 15V，150A
電流 - 集電極截止（最大值） 10mA
不同 Vce 時的輸入電容（Cies） 11nF @ 25V
輸入 標準
NTC 熱敏電阻 無
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 底座安裝
封裝/外殼 Y3-DCB
供應商器件封裝 Y3-DCB
基本零件編號 MII
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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比電子管可靠100倍，耐沖擊、耐振動，這都是電子管所無法比擬的。另外，晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一，放熱很少，可用于設計小型、復雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密，但工序簡便，有利于提高元器件的安裝密度。
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