晶體管 US6M2GTR FET-半導體產品
發布時間：2018/5/25
US6M2GTR介紹：
描述 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 10 周
詳細描述 Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 和 P 溝道
FET 功能 標準
漏源電壓（Vdss） 30V，20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 1.5A，1A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 240 毫歐 @ 1.5A, 4.5V, 390 毫歐 @ 1A, 4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 80pF @ 10V, 150pF @ 10V
功率 - 最大值 1W
工作溫度 150°C
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-SMD，扁平引線
供應商器件封裝 TUMT6
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel）、安捷倫;
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根據三極管的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。
