晶體管 IRFS4310Z MOSFET
發布時間：2018/5/24
IRFS4310Z介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 不適用於新設計
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 120A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 150μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 170nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 6860pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 250W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 6 毫歐 @ 75A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
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