晶體管 IRGB10B60KD MOSFET
發(fā)布時間：2018/5/22
IRGB10B60KD介紹：
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計
IGBT 類型 NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 22A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 44A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 2.2V @ 15V，10A
功率 - 最大值 156W
開關(guān)能量 140μJ（開），250μJ（關(guān)）
輸入類型 標準
柵極電荷 38nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值 30ns/230ns
測試條件 400V，10A，47 歐姆，15V
反向恢復時間（trr） 90ns
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3
供應商器件封裝 TO-220AB
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
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