晶體管 FDV301N MOSFET - 單
發布時間：2018/5/22
FDV301N介紹：
描述 MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 25V 220mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 220mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.06V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 0.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 9.5pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 350mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4 歐姆 @ 400mA，4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-23
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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晶體管在電路最常用的用途應該是屬于信號放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號轉換等，晶體管在電路中是個很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
