晶體管 RFP70N06 MOSFET
發布時間：2018/5/16
RFP70N06介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 70A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 156nC @ 20V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2250pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 14 毫歐 @ 70A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。新興的晶體管工業以不可戰勝的雄心和年輕人那樣無所顧忌的氣勢，迅速取代了電子管工業通過多年奮斗才取得的地位，一躍成為電子技術領域的排頭兵。
