晶體管 RRQ030P03TR MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/11
RRQ030P03TR介紹：
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計(jì)
FET 類(lèi)型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 3A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 480pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 600mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 75 毫歐 @ 3A，10V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TSMT6（SC-95）
封裝/外殼 SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
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MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
