晶體管 NTD40N03RT4G FET
發布時間：2018/5/8
NTD40N03RT4G介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 停產
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 7.8A（Ta），32A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 5.78nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 584pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W（Ta），50W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 16.5 毫歐 @ 10A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 DPAK
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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由于電子管處理高頻信號的效果不理想，人們就設法改進礦石收音機中所用的礦石觸須式檢波器。在這種檢波器里，有一根與礦石（半導體）表面相接觸的金屬絲（像頭發一樣細且能形成檢波接點），它既能讓信號電流沿一個方向流動，又能阻止信號電流朝相反方向流動。
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