晶體管FDP027N08B FET
發(fā)布時(shí)間：2018/5/7
FDP027N08B介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 80V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 120A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 178nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 13530pF @ 40V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 246W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 2.7 毫歐 @ 100A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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比電子管可靠100倍，耐沖擊、耐振動(dòng)，這都是電子管所無法比擬的。另外，晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一，放熱很少，可用于設(shè)計(jì)小型、復(fù)雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密，但工序簡(jiǎn)便，有利于提高元器件的安裝密度。
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