晶體管IPT059N15N3 FET
發布時間：2018/5/2
IPT059N15N3介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 150V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 155A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 92nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 75V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 375W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 5.9毫歐 @ 150A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-HSOF-8-1
封裝/外殼 8-PowerSFN
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
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