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集成電路(IC)MT46V32M16CY-5B:J 存儲器

發布時間:2018/4/25

MT46V32M16CY-5B:J紹;
描述 IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 3(168 小時)
詳細描述 SDRAM - DDR 存儲器 IC 512Mb (32M x 16) 并聯 200MHz 700ps 60-FBGA(8x12.5)
類別 集成電路(IC)
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 托盤 ?
零件狀態 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術 SDRAM - DDR
存儲容量 512Mb (32M x 16)
時鐘頻率 200MHz
寫周期時間 - 字,頁 15ns
訪問時間 700ps
存儲器接口 并聯
電壓 - 電源 2.5 V ~ 2.7 V
工作溫度 0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 60-TFBGA
供應商器件封裝 60-FBGA(8x12.5)
基本零件編號 MT46V32M16

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存儲器(Memory)是現代信息技術中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣,有很多層次,在數字系統中,只要能保存二進制數據的都可以是存儲器;在集成電路中,一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器,如RAM、FIFO等;在系統中,具有實物形式的存儲設備也叫存儲器,如內存條、TF卡等。



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