晶體管 IRFB7430 FET
發布時間：2018/4/13
IRFB7430介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?，StrongIRFET?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 195A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 460nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 14240pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 375W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.3 毫歐 @ 100A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用，應用十分廣泛。輸入級和輸出級都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬于半導體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個獨立的元件。半導體三極管是電路中應用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示。
