存儲器MT40A2G4WE-083E:B DRAM
發(fā)布時(shí)間：2018/4/12
MT40A2G4WE-083E:B介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR4
存儲容量 8Gb （2G x 4）
時(shí)鐘頻率 1.2GHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁 -
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.14 V ~ 1.26 V
工作溫度 0°C ~ 95°C（TC）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 78-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 78-FBGA（8x12）
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DRAM 狀態(tài)寄存器，這是一個(gè)RO寄存器，用于讀取DRAM的狀態(tài)。
實(shí)際上，讀到的有用信息就是Controller Status和Memory width。
