DRAM MT41K256M8DA-125:K 存儲(chǔ)器
發(fā)布時(shí)間：2018/4/11
MT41K256M8DA-125:K介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR3L
存儲(chǔ)容量 2Gb （256M x 8）
時(shí)鐘頻率 800MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁 -
訪問時(shí)間 13.75ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.283 V ~ 1.45 V
工作溫度 0°C ~ 95°C（TC）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 78-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 78-FBGA（8x10.5）
基本零件編號(hào) MT41K256M8
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而且電容的充放電需要一個(gè)過程，刷新頻率不可能無限提升（頻障），這就導(dǎo)致DRAM的頻率很容易達(dá)到上限，即便有先進(jìn)工藝的支持也收效甚微。隨著科技的進(jìn)步，以及人們對(duì)超頻的一種意愿，這些頻障也在慢慢解決。
