DRAM MT41K256M16HA-107:E 存儲(chǔ)器
發(fā)布時(shí)間：2018/4/11
MT41K256M16HA-107:E介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 停產(chǎn)
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR3L
存儲(chǔ)容量 4Gb （256M x 16）
時(shí)鐘頻率 933MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) -
訪問(wèn)時(shí)間 20ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.283 V ~ 1.45 V
工作溫度 0°C ~ 95°C（TC）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 96-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 96-FBGA（9x14）
基本零件編號(hào) MT41K256M16
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DRAM的結(jié)構(gòu)可謂是簡(jiǎn)單高效，每一個(gè)bit只需要一個(gè)晶體管另加一個(gè)電容。但是電容不可避免的存在漏電現(xiàn)象，如果電荷不足會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)出錯(cuò)，因此電容必須被周期性的刷新（預(yù)充電），這也是DRAM的一大特點(diǎn)。
