FRAM FM28V100-TG存儲器
發(fā)布時間：2018/4/11
FM28V100-TG介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Cypress Semiconductor Corp
系列 F-RAM?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 非易失
存儲器格式 FRAM
技術(shù) FRAM（鐵電體 RAM）
存儲容量 1Mb （128K x 8）
寫周期時間 - 字，頁 90ns
訪問時間 90ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 2 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 32-TFSOP（0.465"，11.80mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 32-TSOP I
基本零件編號 FM28V100
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FRAM的存儲單元主要由電容和場效應(yīng)管構(gòu)成，但這個電容不是一般的電容，在它的兩個電極板中間沉淀了一層晶態(tài)的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個存儲單元使用2個場效應(yīng)管和2個電容，稱為“雙管雙容”（2T2C），每個存儲單元包括數(shù)據(jù)位和各自的參考位。
