DDR3 MT41J64M16LA-187E:B TR 存儲器
發布時間：2018/4/11
MT41J64M16LA-187E:B TR介紹；
描述 IC SDRAM 1GBIT 533MHZ 96FBGA
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）
詳細描述 SDRAM - DDR3 存儲器 IC 1Gb （64M x 16） 并聯 533MHz 96-FBGA（9x15.5）
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 停產
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術 SDRAM - DDR3
存儲容量 1Gb （64M x 16）
時鐘頻率 533MHz
寫周期時間 - 字，頁 -
存儲器接口 并聯
電壓 - 電源 1.425 V ~ 1.575 V
工作溫度 0°C ~ 95°C（TC）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 96-FBGA
供應商器件封裝 96-FBGA（9x15.5）
基本零件編號 MT41J64M16
安富利（深圳）商貿有限公司介紹；
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為解決高速的CPU與速度相對較慢的主存的矛盾，還可使用高速緩存。它采用速度很快、價格更高的半導體靜態存儲器，甚至與微處理器做在一起，存放當前使用最頻繁的指令和數據。當CPU從內存中讀取指令與數據時，將同時訪問高速緩存與主存。如果所需內容在高速緩存中，就能立即獲??；如沒有，再從主存中讀取。高速緩存中的內容是根據實際情況及時更換的。這樣，通過增加少量成本即可獲得很高的速度。
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