準(zhǔn)現(xiàn)貨 IRFB4710PBF IR 可供樣貨期優(yōu)勢(shì)
發(fā)布時(shí)間：2017/5/11
零件編號(hào) IRFB4710PBF-ND
制造商 Infineon Technologies
制造商零件編號(hào) IRFB4710PBF
無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
產(chǎn)品屬性
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 75A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 170nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 6160pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），200W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 14 毫歐 @ 45A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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