SIR800ADP-T1-GE3 MOSFET
發布時間：2020/5/25
SIR800ADP-T1-GE3規格：
制造商:Vishay
產品種類:MOSFET
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PowerPAK-SO-8
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續漏極電流:177 A
Rds On-漏源導通電阻:1.35 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V
Qg-柵極電荷:53 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
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SIR800ADP-T1-GE3產品圖片：
